真空計PTR200N萊寶真（zhēn）空（kōng）泵

真空（kōng）計PTR200N萊寶真空泵

 PTR 200 N PENNINGVAC 係列真（zhēn）空變送器可提供（gòng）從（cóng） 1×10-8 毫巴至 1500 毫巴（bā）的（de）較大測量（liàng）範圍，基（jī）於對（duì） MEMS Pirani 矽（guī）芯片傳感器上小空腔中的熱傳（chuán）導性、壓電（diàn）傳感器中矽膜的機械（xiè）偏轉和冷（lěng）陰極 (CC) 電離電流的測量（liàng）結果。
PTR 200 N PENNINGVAC 變送器配備 RS232 數字通信接口，可設定變送器（qì）參數並提供實時壓力（lì）測量。更多（duō）詳情，請參閱通信協（xié）議 300544663 (RS232)。
每台變送器在出廠前已逐台進行全（quán）量程（chéng）測（cè）試。測試報（bào）告隨（suí）附（fù）在（zài）包裝中。此外，每個變（biàn）送器壓力（lì）讀（dú）數均在操作溫度（dù）範圍內逐一得（dé）到溫度（dù）補償。
變送器（qì）擁有三個機（jī）械繼（jì）電器，這些（xiē）繼電器可用於過程（chéng）控製，例如閥或泵的聯鎖。模擬（nǐ）電壓輸出（chū）可連接至外（wài）部模（mó）擬設備，獲取壓力讀數，或進行壓力（lì）控製。
傳感（gǎn）器（qì）技術
PTR 200 N PENNINGVAC 變送器（qì）含有兩個獨立的傳（chuán）感器元件。MEMS Pirani (MEMS = Micro-Electro-Mechanical-System (微電子機（jī）械係（xì）統)) 傳感器元件（jiàn）基於熱傳導性的測量結果。MEMS Pirani 傳感器（qì）包含（hán）一個帶（dài）有熱電（diàn）阻元件的矽芯片，其構成空腔的一（yī）個表麵。芯片頂部的封蓋形成（chéng）空腔（qiāng）的另一（yī）表麵。由於傳感器的幾何形狀，空（kōng）腔內無法進行對（duì）流，因此，傳感器（qì）對安裝位（wèi）置並不敏感。通過擴散，氣體分子（zǐ）隻到達（dá）熱元件，在此處可（kě）測量氣體的熱損（sǔn）耗。
冷陰（yīn）極反磁（cí）控（kòng）管采用高電壓（yā）陽極、陰極和永磁體。電子（zǐ）向陽極（jí）加速，並（bìng）將通過碰撞（zhuàng）而（ér）使分子離子化。磁場使（shǐ）電子偏轉，從（cóng）而（ér）使電（diàn）子（zǐ）在（zài）穿過（guò）磁場前（qián）往陽極時做螺旋形移動。這（zhè）種（zhǒng）螺旋運動增（zēng）大了電（diàn）子（zǐ）遇到分子並使分子離子化的機會。
分子離子化（huà）產生電流，該電流是壓力的函數。這（zhè）兩個傳感（gǎn）器元件均（jun1）極為堅固耐用（yòng），可承受較高重力和（hé）瞬間空氣（qì）湧入。
應用
變送器可用於眾多不同（tóng）領域（yù）的真空應用中，如：工業應（yīng）用、研發、半導（dǎo）體、分析和塗料工業中:
 一般真空壓力測量
 氣體回填測（cè）量（liàng）和控製
 塗料
 質譜儀控製（zhì）
 係統過（guò）程控製
 檢測異常（cháng）壓力（lì），利用設定點繼電器采取妥當的安全措施（shī）
 控製係統壓力（lì）

真空計（jì）PTR200N萊寶真（zhēn）空泵（bèng）